DMG3N60SJ3 - MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-DMG3N60SJ3
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
745220 Pieces
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Specifiche per DMG3N60SJ3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
DMG3N60SJ3
fabbricante :
Diodes Incorporated
Descrizione :
MOSFET BVDSS 501V 650V TO251
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.8A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
12.6nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
354pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
41W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-251
Pacchetto / caso :
TO-251-3, IPak, Short Leads
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per DMG3N60SJ3
Schede tecniche :
DMG3N60SJ3.pdf
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