AS4C128M8D1-6TIN - IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per AS4C128M8D1-6TIN

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AS4C128M8D1-6TIN
fabbricante : Alliance Memory, Inc.
Descrizione : IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP II
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM - DDR
Dimensione della memoria : 1Gb (128M x 8)
Frequenza di clock : 166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 15ns
Tempo di accesso : 700ps
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 2.3V ~ 2.7V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 66-TSOP II
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : AS4C1 , AS4C128M

Documenti per AS4C128M8D1-6TIN

Schede tecniche : AS4C128M8D1-6TIN.pdf

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