SCT30N120 - MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-SCT30N120
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
23264 Pieces
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Specifiche per SCT30N120
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SCT30N120
fabbricante :
STMicroelectronics
Descrizione :
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.6V @ 1mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
105nC @ 20V
Vgs (massimo) :
+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1700pF @ 400V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
270W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore :
HiP247™
Pacchetto / caso :
TO-247-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SCT30N120
Schede tecniche :
SCT30N120.pdf
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