PSMN035-100LS,115 - MOSFET N-CH QFN3333
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH QFN3333
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
10968 Pieces
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Specifiche per PSMN035-100LS,115
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
PSMN035-100LS,115
fabbricante :
NXP USA Inc.
Descrizione :
MOSFET N-CH QFN3333
Serie :
-
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
27A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1350pF @ 50V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
65W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
8-DFN3333 (3.3x3.3)
Pacchetto / caso :
8-VDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per PSMN035-100LS,115
Schede tecniche :
PSMN035-100LS,115.pdf
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