STFI12N60M2 - MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP

codice articolo del costruttore

STFI12N60M2

Numero parte interna

AX-STFI12N60M2

fabbricante

STMicroelectronics

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

238570 Pieces

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Specifiche per STFI12N60M2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : STFI12N60M2

fabbricante : STMicroelectronics

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK-FP

Serie : MDmesh™ M2

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 16nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 538pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : I2PAKFP (TO-281)

Pacchetto / caso : TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : STF , STFI1

Documenti per STFI12N60M2

Schede tecniche : STFI12N60M2.pdf

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