AOI4T60P - MOSFET N-CH

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
Breve descrizione
MOSFET N-CH
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Specifiche per AOI4T60P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AOI4T60P
fabbricante : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Descrizione : MOSFET N-CH
Serie : -
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.1 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 522pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 83W (Tc)
temperatura di esercizio : -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-251
Pacchetto / caso : TO-251-3 Stub Leads, IPak
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per AOI4T60P

Schede tecniche : AOI4T60P.pdf

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