IPI80N04S403AKSA1 - MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
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Breve descrizione
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per IPI80N04S403AKSA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPI80N04S403AKSA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
Serie : OptiMOS™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 53µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 66nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5260pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 94W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO262-3
Pacchetto / caso : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per IPI80N04S403AKSA1
Schede tecniche : IPI80N04S403AKSA1.pdf
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