SI8900EDB-T2-E1 - MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
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MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SI8900EDB-T2-E1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SI8900EDB-T2-E1
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP
Serie : TrenchFET®
Stato parte : Active
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET : Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) : 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1.1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potenza - Max : 1W
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 10-UFBGA, CSPBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 10-Micro Foot™ CSP (2x5)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SI8900EDB-T2-E1
Schede tecniche : SI8900EDB-T2-E1.pdf
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