NTMFS4H02NT1G - MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
216880 Pieces
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Specifiche per NTMFS4H02NT1G
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
NTMFS4H02NT1G
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 25V 37A SO8FL
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
37A (Ta), 193A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
38.5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
2651pF @ 12V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.13W (Ta), 83W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per NTMFS4H02NT1G
Schede tecniche :
NTMFS4H02NT1G.pdf
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