KLUEGAJ1ZD-B0CQ - UFS 2.1 256 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.72 mm -40 ~ 105 °C Mass Production

codice articolo del costruttore

KLUEGAJ1ZD-B0CQ

Numero parte interna

AX-KLUEGAJ1ZD-B0CQ

fabbricante

Samsung Semiconductor

Breve descrizione

UFS 2.1 256 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.72 mm -40 ~ 105 °C Mass Production

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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Specifiche per KLUEGAJ1ZD-B0CQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : KLUEGAJ1ZD-B0CQ

fabbricante : Samsung Semiconductor

Descrizione : UFS 2.1 256 GB 1.8 / 3.3 V G3 2Lane 11.5 x 13 x 1.72 mm -40 ~ 105 °C Mass Production

Serie : DDR3

Versione : UFS 2.1

Densità : 256 GB

Voltaggio : 1.8 / 3.3 V

Interfaccia : G3 2Lane

Formato del pacchetto : 11.5 x 13 x 1.72 mm

Temp. : -40 ~ 105 °C

Stato prodotto : Mass Production

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : KLUEG , KLUEGAJ

Documenti per KLUEGAJ1ZD-B0CQ

Schede tecniche : KLUEGAJ1ZD-B0CQ.pdf

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