FQT1N80TF-WS - MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

codice articolo del costruttore

FQT1N80TF-WS

Numero parte interna

AX-FQT1N80TF-WS

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

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1-2 giorni

quantità disponibile

1005755 Pieces

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Specifiche per FQT1N80TF-WS

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : FQT1N80TF-WS

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Serie : QFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 800V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 200mA (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 Ohm @ 100mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 7.2nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 195pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.1W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223-3

Pacchetto / caso : TO-261-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : FQT1 , FQT1N8

Documenti per FQT1N80TF-WS

Schede tecniche : FQT1N80TF-WS.pdf

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