APTMC60TLM55CT3AG - MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F

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Breve descrizione
MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per APTMC60TLM55CT3AG

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : APTMC60TLM55CT3AG
fabbricante : Microsemi Corporation
Descrizione : MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : 4 N-Channel (Three Level Inverter)
Caratteristica FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 49 mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 2mA (Typ)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1900pF @ 1000V
Potenza - Max : 250W
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto / caso : SP3
Pacchetto dispositivo fornitore : SP3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : APTMC , APTMC60T

Documenti per APTMC60TLM55CT3AG

Schede tecniche : APTMC60TLM55CT3AG.pdf

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