PHM12NQ20T,518 - MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON

codice articolo del costruttore

PHM12NQ20T,518

Numero parte interna

AX-PHM12NQ20T,518

fabbricante

NXP USA Inc.

Breve descrizione

MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

24248 Pieces

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Specifiche per PHM12NQ20T,518

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : PHM12NQ20T,518

fabbricante : NXP USA Inc.

Descrizione : MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON

Serie : TrenchMOS™

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 14.4A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 26nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1230pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 62.5W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 8-HVSON (6x5)

Pacchetto / caso : 8-VDFN Exposed Pad

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : PHM1 , PHM12NQ

Documenti per PHM12NQ20T,518

Schede tecniche : PHM12NQ20T,518.pdf

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