BS2100F-E2 - IC DVR IGBT/MOSFET
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-BS2100F-E2
fabbricante
Breve descrizione
IC DVR IGBT/MOSFET
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1043160 Pieces
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Specifiche per BS2100F-E2
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BS2100F-E2
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : IC DVR IGBT/MOSFET
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Configurazione guidata : Half-Bridge
Tipo di canale : Independent
Numero di driver : 2
Gate Type : N-Channel MOSFET
Tensione - Fornitura : 10V ~ 18V
Tensione logica - VIL, VIH : 1V, 2.6V
Corrente - Uscita di picco (sorgente, lavello) : 60mA, 130mA
Tipo di input : Non-Inverting
Tensione lato alto - Max (Bootstrap) : 600V
Rise / Fall Time (Typ) : 200ns, 100ns
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore : 8-SOP
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per BS2100F-E2
Schede tecniche : BS2100F-E2.pdf
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