IPB120N03S4L03ATMA1 - MOSFET N-CH TO263-3

codice articolo del costruttore

IPB120N03S4L03ATMA1

Numero parte interna

AX-IPB120N03S4L03ATMA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH TO263-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

602200 Pieces

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Specifiche per IPB120N03S4L03ATMA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPB120N03S4L03ATMA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH TO263-3

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 40µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 72nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 79W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPB120 , IPB120N03

Documenti per IPB120N03S4L03ATMA1

Schede tecniche : IPB120N03S4L03ATMA1.pdf

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