2SK3309(TE24L,Q) - MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

codice articolo del costruttore

2SK3309(TE24L,Q)

Numero parte interna

AX-2SK3309(TE24L,Q)

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

17392 Pieces

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Specifiche per 2SK3309(TE24L,Q)

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : 2SK3309(TE24L,Q)

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 450V 10A TO220SM

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 450V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 650 mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 920pF @ 10V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 65W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220SM

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

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Documenti per 2SK3309(TE24L,Q)

Schede tecniche : 2SK3309(TE24L,Q).pdf

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