IRLL024NTRPBF - MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

codice articolo del costruttore

IRLL024NTRPBF

Numero parte interna

AX-IRLL024NTRPBF

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1204420 Pieces

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Specifiche per IRLL024NTRPBF

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IRLL024NTRPBF

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT223

Serie : HEXFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3.1A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15.6nC @ 5V

Vgs (massimo) : ±16V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1W (Ta)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-223

Pacchetto / caso : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IRLL , IRLL02

Documenti per IRLL024NTRPBF

Schede tecniche : IRLL024NTRPBF.pdf

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