TK39J60W,S1VQ - MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

codice articolo del costruttore

TK39J60W,S1VQ

Numero parte interna

AX-TK39J60W,S1VQ

fabbricante

Toshiba Semiconductor and Storage

Breve descrizione

MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

57540 Pieces

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Specifiche per TK39J60W,S1VQ

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : TK39J60W,S1VQ

fabbricante : Toshiba Semiconductor and Storage

Descrizione : MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P

Serie : DTMOSIV

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 38.8A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 19.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.7V @ 1.9mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4100pF @ 300V

Caratteristica FET : Super Junction

Dissipazione di potenza (max) : 270W (Tc)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-3P(N)

Pacchetto / caso : TO-3P-3, SC-65-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : TK39 , TK39J6

Documenti per TK39J60W,S1VQ

Schede tecniche : TK39J60W,S1VQ.pdf

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