STL3N65M2 - MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-STL3N65M2
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1039585 Pieces
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Specifiche per STL3N65M2
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
STL3N65M2
fabbricante :
STMicroelectronics
Descrizione :
MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
Serie :
MDmesh™ M2
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.8 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
155pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
22W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PowerFlat™ (3.3x3.3)
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per STL3N65M2
Schede tecniche :
STL3N65M2.pdf
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