IXTH80N65X2 - MOSFET N-CH 650V 80A TO-247

codice articolo del costruttore

IXTH80N65X2

Numero parte interna

AX-IXTH80N65X2

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

MOSFET N-CH 650V 80A TO-247

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

51954 Pieces

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Specifiche per IXTH80N65X2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTH80N65X2

fabbricante : IXYS

Descrizione : MOSFET N-CH 650V 80A TO-247

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 144nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 7753pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 890W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247

Pacchetto / caso : TO-247-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXT , IXTH8

Documenti per IXTH80N65X2

Schede tecniche : IXTH80N65X2.pdf

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