NSB8BTHE3_A/P - DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

codice articolo del costruttore

NSB8BTHE3_A/P

Numero parte interna

AX-NSB8BTHE3_A/P

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

643550 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per NSB8BTHE3_A/P

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NSB8BTHE3_A/P

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 100V

Corrente: media rettificata (Io) : 8A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 8A

Velocità : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : -

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 10µA @ 100V

Capacità @ Vr, F : 55pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263AB

Temperatura operativa - Giunzione : -55°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NSB8 , NSB8BT

Documenti per NSB8BTHE3_A/P

Schede tecniche : NSB8BTHE3_A/P.pdf

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