IPS70N10S3L-12 - MOSFET N-CH 1TO251-3

codice articolo del costruttore

IPS70N10S3L-12

Numero parte interna

AX-IPS70N10S3L-12

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 1TO251-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

22106 Pieces

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Specifiche per IPS70N10S3L-12

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPS70N10S3L-12

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 1TO251-3

Serie : -

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : -

Tecnologia : -

Drain to Source Voltage (Vdss) : -

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : -

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (massimo) : -

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : -

temperatura di esercizio : -

Tipo di montaggio : -

Pacchetto dispositivo fornitore : -

Pacchetto / caso : -

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPS7 , IPS70N1

Documenti per IPS70N10S3L-12

Schede tecniche : IPS70N10S3L-12.pdf

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