RW1A030APT2CR - MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

codice articolo del costruttore

RW1A030APT2CR

Numero parte interna

AX-RW1A030APT2CR

fabbricante

Rohm Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

4190020 Pieces

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Specifiche per RW1A030APT2CR

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : RW1A030APT2CR

fabbricante : Rohm Semiconductor

Descrizione : MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Serie : -

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Ta)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 22nC @ 4.5V

Vgs (massimo) : -8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2700pF @ 6V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 700mW (Ta)

temperatura di esercizio : 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : 6-WEMT

Pacchetto / caso : SOT-563, SOT-666

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : RW1A , RW1A03

Documenti per RW1A030APT2CR

Schede tecniche : RW1A030APT2CR.pdf

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