IPP50R199CPHKSA1 - MOSFET N-CH 550V TO-220

codice articolo del costruttore

IPP50R199CPHKSA1

Numero parte interna

AX-IPP50R199CPHKSA1

fabbricante

Infineon Technologies

Breve descrizione

MOSFET N-CH 550V TO-220

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

231765 Pieces

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Specifiche per IPP50R199CPHKSA1

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IPP50R199CPHKSA1

fabbricante : Infineon Technologies

Descrizione : MOSFET N-CH 550V TO-220

Serie : CoolMOS™

Stato parte : Not For New Designs

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 550V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 17A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 199 mOhm @ 9.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 660µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 45nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 100V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 139W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-3-1

Pacchetto / caso : TO-220-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IPP50 , IPP50R19

Documenti per IPP50R199CPHKSA1

Schede tecniche : IPP50R199CPHKSA1.pdf

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