JANTXV2N6800 - MOSFET N-CH

codice articolo del costruttore

JANTXV2N6800

Numero parte interna

AX-JANTXV2N6800

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

18176 Pieces

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Specifiche per JANTXV2N6800

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : JANTXV2N6800

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH

Serie : Military, MIL-PRF-19500/557

Stato parte : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.1 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 34.75nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 800mW (Ta), 25W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-205AF (TO-39)

Pacchetto / caso : TO-205AF Metal Can

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : JANT , JANTXV

Documenti per JANTXV2N6800

Schede tecniche : JANTXV2N6800.pdf

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