NVD5802NT4G-TB01 - MOSFET N-CH 40V 101A DPAK

codice articolo del costruttore

NVD5802NT4G-TB01

Numero parte interna

AX-NVD5802NT4G-TB01

fabbricante

ON Semiconductor

Breve descrizione

MOSFET N-CH 40V 101A DPAK

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

22239 Pieces

Prezzo di riferimento

~~USD 0~~

Il nostro prezzo

- (Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore: [email protected])

AX Semiconductor ha NVD5802NT4G-TB01 in magazzino per la vendita. Possiamo spedire entro 1-2 giorni. Vi preghiamo di contattarci per un prezzo migliore per NVD5802NT4G-TB01. La nostra email: [email protected]

Opzioni di spedizione e tempi di spedizione:: DHL: 2-3 days.; FEDEX: 2-3 days.; UPS: 2-4 days.; TNT: 3-5 days.; EMS: 5-8 days.; Normal Post: 10-15 days.

Opzioni di pagamento:: Paypal (Credit Card); Bank Transfer (Wire Transfer); Western Union; MoneyGram

Specifiche per NVD5802NT4G-TB01

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : NVD5802NT4G-TB01

fabbricante : ON Semiconductor

Descrizione : MOSFET N-CH 40V 101A DPAK

Serie : Automotive, AEC-Q101

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 16.4A (Ta), 101A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 mOhm @ 50A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 100nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 5300pF @ 12V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : DPAK (SINGLE GAUGE)

Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : NVD58 , NVD5802N

Documenti per NVD5802NT4G-TB01

Schede tecniche : NVD5802NT4G-TB01.pdf

Prodotti correlati per NVD5802NT4G-TB01 ON Semiconductor

Numero parte	Marca	Descrizione
BZ118100WV10136CB1	Vishay Beyschlag	CAP CER 100PF 30KV AXIAL.
WI085215WJ10238BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1000PF 14KV SCREW.
WF165380WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
PEF220WH10338BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
WF135285WP50233BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 20KV SCREW.
WI085444WN84236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 8400PF 18KV.
WF125300WJ76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
WF135218WL40238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 16KV SCREW.
WF125300WJ76238BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 14KV SCREW.
04026W105KAT2A	AVX Corporation	CAP CER 1UF 6.3V X6S 0402. Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 16V 2.2uF 0805 5% X7R
WF165278WP60238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV SCREW.
WI140266WJ10336BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 14KV SCREW.
PEF220WP60238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK.
WI106266WP40236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 20KV SCREW.
WF165336WQ75236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.
WZ125178BH30236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 3000PF 10KV.
PE0200WJ12233BH1	Vishay Beyschlag	CAP CER 1200PF 14KV R42 DISK.
WF165270WL76238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7600PF 16KV SCREW.
WF095220WF50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 12KV SCREW.
WI085260WJ47238BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 4700PF 14KV SCREW.