VS-20ETF12STRR-M3 - DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

codice articolo del costruttore

VS-20ETF12STRR-M3

Numero parte interna

AX-VS-20ETF12STRR-M3

fabbricante

Vishay Semiconductor Diodes Division

Breve descrizione

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

274610 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per VS-20ETF12STRR-M3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : VS-20ETF12STRR-M3

fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division

Descrizione : DIODE GEN PURP 1.2KV 20A TO263AB

Serie : -

Stato parte : Active

Diodo : Standard

Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) : 1200V

Corrente: media rettificata (Io) : 20A

Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If : 1.31V @ 20A

Velocità : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr) : 400ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr : 100µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F : -

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-263 (D2Pak)

Temperatura operativa - Giunzione : -40°C ~ 150°C

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : VS-20 , VS-20ETF

Documenti per VS-20ETF12STRR-M3

Schede tecniche : VS-20ETF12STRR-M3.pdf

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