R6010ANX - MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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Specifiche per R6010ANX

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : R6010ANX
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM
Serie : -
Stato parte : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 10A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 50W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-220FM
Pacchetto / caso : TO-220-3 Full Pack
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Documenti per R6010ANX

Schede tecniche : R6010ANX.pdf

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