AS4C2M32S-6BIN - IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA

codice articolo del costruttore
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fabbricante
Breve descrizione
IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per AS4C2M32S-6BIN

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : AS4C2M32S-6BIN
fabbricante : Alliance Memory, Inc.
Descrizione : IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo di memoria : Volatile
Formato di memoria : DRAM
Tecnologia : SDRAM
Dimensione della memoria : 64Mb (2M x 32)
Frequenza di clock : 166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : 2ns
Tempo di accesso : 5.4ns
Interfaccia di memoria : Parallel
Tensione - Fornitura : 3V ~ 3.6V
temperatura di esercizio : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto / caso : 90-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore : 90-TFBGA (8x13)
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : AS4C , AS4C2M3

Documenti per AS4C2M32S-6BIN

Schede tecniche : AS4C2M32S-6BIN.pdf

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