SIHJ7N65E-T1-GE3 - MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
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Breve descrizione
MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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quantità disponibile
356295 Pieces
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Specifiche per SIHJ7N65E-T1-GE3
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SIHJ7N65E-T1-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CH 650V POWERPAK SO-8L
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7.9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 598 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 44nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 820pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 96W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : PowerPAK® SO-8
Pacchetto / caso : PowerPAK® SO-8
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per SIHJ7N65E-T1-GE3
Schede tecniche : SIHJ7N65E-T1-GE3.pdf
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