IXTM67N10 - POWER MOSFET TO-3

codice articolo del costruttore

IXTM67N10

Numero parte interna

AX-IXTM67N10

fabbricante

IXYS

Breve descrizione

POWER MOSFET TO-3

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

22701 Pieces

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Specifiche per IXTM67N10

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : IXTM67N10

fabbricante : IXYS

Descrizione : POWER MOSFET TO-3

Serie : GigaMOS™

Stato parte : Last Time Buy

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 67A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 260nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 4500pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 300W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore : TO-204AE

Pacchetto / caso : TO-204AE

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : IXT , IXTM

Documenti per IXTM67N10

Schede tecniche : IXTM67N10.pdf

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