BUZ73HXKSA1 - MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-BUZ73HXKSA1
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
12992 Pieces
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Specifiche per BUZ73HXKSA1
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : BUZ73HXKSA1
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3
Serie : SIPMOS®
Stato parte : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 40W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO220-3
Pacchetto / caso : TO-220-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Documenti per BUZ73HXKSA1
Schede tecniche : BUZ73HXKSA1.pdf
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