EDB1316BDBH-1DAAT-F-D - IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

codice articolo del costruttore

EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

Numero parte interna

AX-EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

fabbricante

Micron Technology Inc.

Breve descrizione

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

52565 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

fabbricante : Micron Technology Inc.

Descrizione : IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo di memoria : Volatile

Formato di memoria : DRAM

Tecnologia : SDRAM - Mobile LPDDR2

Dimensione della memoria : 1Gb (64M x 16)

Frequenza di clock : 533MHz

Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina : -

Tempo di accesso : -

Interfaccia di memoria : Parallel

Tensione - Fornitura : 1.14V ~ 1.95V

temperatura di esercizio : -40°C ~ 105°C (TC)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto / caso : 134-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore : 134-VFBGA (10x11.5)

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : EDB1316 , EDB1316BDB

Documenti per EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

Schede tecniche : EDB1316BDBH-1DAAT-F-D.pdf

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