IPU60R1K0CEAKMA2 - MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3

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MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
Stato RoHS
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Specifiche per IPU60R1K0CEAKMA2

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : IPU60R1K0CEAKMA2
fabbricante : Infineon Technologies
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3
Serie : CoolMOS™ CE
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 4.3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 130µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 280pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 61W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : PG-TO251-3
Pacchetto / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : IPU60 , IPU60R1K

Documenti per IPU60R1K0CEAKMA2

Schede tecniche : IPU60R1K0CEAKMA2.pdf

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