SIHG22N60AEL-GE3 - MOSFET N-CHAN 600V

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CHAN 600V
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per SIHG22N60AEL-GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : SIHG22N60AEL-GE3
fabbricante : Vishay Siliconix
Descrizione : MOSFET N-CHAN 600V
Serie : EL
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 82nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1757pF @ 100V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 208W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247AC
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Link correlati : SIHG2 , SIHG22N6

Documenti per SIHG22N60AEL-GE3

Schede tecniche : SIHG22N60AEL-GE3.pdf

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