FDMS86202ET120 - MOSFET N-CH 120V POWER56
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 120V POWER56
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
214935 Pieces
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Specifiche per FDMS86202ET120
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
FDMS86202ET120
fabbricante :
ON Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 120V POWER56
Serie :
PowerTrench®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
13.5A (Ta), 102A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.2 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
64nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
4585pF @ 60V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
3.3W (Ta), 187W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
Power56
Pacchetto / caso :
8-PowerTDFN
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per FDMS86202ET120
Schede tecniche :
FDMS86202ET120.pdf
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