FDD6690A - MOSFET N-CH 30V 12A DPAK

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per FDD6690A

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : FDD6690A
fabbricante : ON Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
Serie : PowerTrench®
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta), 46A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 5V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 1230pF @ 15V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 3.3W (Ta), 56W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio : Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : D-PAK (TO-252AA)
Pacchetto / caso : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : FDD6690A.pdf

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