SIDC23D120H8X1SA1 - DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
121770 Pieces
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Specifiche per SIDC23D120H8X1SA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SIDC23D120H8X1SA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
DIODE GEN PURP 1.2KV 35A WAFER
Serie :
-
Stato parte :
Active
Diodo :
Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) :
1200V
Corrente: media rettificata (Io) :
35A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
1.97V @ 35A
Velocità :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) :
-
Corrente - Perdita inversa @ Vr :
27µA @ 1200V
Capacità @ Vr, F :
-
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
Die
Pacchetto dispositivo fornitore :
Sawn on foil
Temperatura operativa - Giunzione :
-40°C ~ 175°C
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SIDC23D120H8X1SA1
Schede tecniche :
SIDC23D120H8X1SA1.pdf
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