R6009ENJTL - MOSFET N-CH 600V 9A LPT
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-R6009ENJTL
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 9A LPT
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
388530 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per R6009ENJTL
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
R6009ENJTL
fabbricante :
Rohm Semiconductor
Descrizione :
MOSFET N-CH 600V 9A LPT
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
9A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
535 mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
430pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
40W (Tc)
temperatura di esercizio :
150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
LPTS (D2PAK)
Pacchetto / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per R6009ENJTL
Schede tecniche :
R6009ENJTL.pdf
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