BSC150N03LDGATMA1 - MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
1128200 Pieces
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Specifiche per BSC150N03LDGATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
BSC150N03LDGATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8TDSON
Serie :
OptiMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
13.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
1100pF @ 15V
Potenza - Max :
26W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-TDSON-8 Dual
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per BSC150N03LDGATMA1
Schede tecniche :
BSC150N03LDGATMA1.pdf
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