SQ2361AEES-T1_GE3 - MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

codice articolo del costruttore

SQ2361AEES-T1_GE3

Numero parte interna

AX-SQ2361AEES-T1_GE3

fabbricante

Vishay Siliconix

Breve descrizione

MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

1765950 Pieces

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Specifiche per SQ2361AEES-T1_GE3

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : SQ2361AEES-T1_GE3

fabbricante : Vishay Siliconix

Descrizione : MOSFET P-CH 60V 2.5A SSOT23

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Stato parte : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 170 mOhm @ 2.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 620pF @ 30V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 2W (Tc)

temperatura di esercizio : -55°C ~ 175°C (TA)

Tipo di montaggio : Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : -

Pacchetto / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : SQ236 , SQ2361AE

Documenti per SQ2361AEES-T1_GE3

Schede tecniche : SQ2361AEES-T1_GE3.pdf

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