IXTY1R6N100D2 - MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
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fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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204185 Pieces
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Specifiche per IXTY1R6N100D2
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IXTY1R6N100D2
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Serie :
-
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id :
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 5V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
645pF @ 25V
Caratteristica FET :
Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) :
100W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IXTY1R6N100D2
Schede tecniche :
IXTY1R6N100D2.pdf
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