IXFN200N10P - MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-IXFN200N10P
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
33775 Pieces
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Specifiche per IXFN200N10P
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IXFN200N10P
fabbricante :
IXYS
Descrizione :
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Serie :
Polar™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
200A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
7.5 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
235nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
7600pF @ 25V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
680W (Tc)
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
SOT-227B
Pacchetto / caso :
SOT-227-4, miniBLOC
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IXFN200N10P
Schede tecniche :
IXFN200N10P.pdf
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