EPC2012C - GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-EPC2012C
fabbricante
Breve descrizione
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
392940 Pieces
Prezzo di riferimento
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Specifiche per EPC2012C
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
EPC2012C
fabbricante :
EPC
Descrizione :
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Serie :
eGaN®
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
1.3nC @ 5V
Vgs (massimo) :
+6V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
140pF @ 100V
Caratteristica FET :
-
Dissipazione di potenza (max) :
-
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
Die Outline (4-Solder Bar)
Pacchetto / caso :
Die
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per EPC2012C
Schede tecniche :
EPC2012C.pdf
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