SI5509DC-T1-E3 - MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
quantità disponibile
26873 Pieces
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Specifiche per SI5509DC-T1-E3
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
SI5509DC-T1-E3
fabbricante :
Vishay Siliconix
Descrizione :
MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Stato parte :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Caratteristica FET :
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) :
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
6.1A, 4.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
52 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
455pF @ 10V
Potenza - Max :
4.5W
temperatura di esercizio :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto / caso :
8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore :
1206-8 ChipFET™
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per SI5509DC-T1-E3
Schede tecniche :
SI5509DC-T1-E3.pdf
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