APTM10DAM02G - MOSFET N-CH 100V 495A SP6

codice articolo del costruttore

APTM10DAM02G

Numero parte interna

AX-APTM10DAM02G

fabbricante

Microsemi Corporation

Breve descrizione

MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Stato RoHS

Senza piombo / Conforme RoHS

Tempo di consegna

1-2 giorni

quantità disponibile

6640 Pieces

Prezzo di riferimento

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Specifiche per APTM10DAM02G

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia

Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto

Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numero parte : APTM10DAM02G

fabbricante : Microsemi Corporation

Descrizione : MOSFET N-CH 100V 495A SP6

Serie : -

Stato parte : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 495A (Tc)

Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 mOhm @ 200A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 1360nC @ 10V

Vgs (massimo) : ±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 40000pF @ 25V

Caratteristica FET : -

Dissipazione di potenza (max) : 1250W (Tc)

temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio : Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore : SP6

Pacchetto / caso : SP6

Peso : -

Condizione : Nuovo e originale

Link correlati : APTM , APTM10

Documenti per APTM10DAM02G

Schede tecniche : APTM10DAM02G.pdf

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