IPN60R3K4CEATMA1 - MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
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Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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1-2 giorni
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2573080 Pieces
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Specifiche per IPN60R3K4CEATMA1
Qualità garantita :
365 giorni di garanzia
Risorsa stock :
Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte :
IPN60R3K4CEATMA1
fabbricante :
Infineon Technologies
Descrizione :
MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
Serie :
CoolMOS™
Stato parte :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
4.6nC @ 10V
Vgs (massimo) :
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds :
93pF @ 100V
Caratteristica FET :
Super Junction
Dissipazione di potenza (max) :
5W (Tc)
temperatura di esercizio :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio :
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore :
PG-SOT223
Pacchetto / caso :
SOT-223-3
Peso :
-
Condizione :
Nuovo e originale
Documenti per IPN60R3K4CEATMA1
Schede tecniche :
IPN60R3K4CEATMA1.pdf
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