R6035ENZ1C9 - MOSFET N-CH 600V 35A TO247

codice articolo del costruttore
Numero parte interna
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
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Specifiche per R6035ENZ1C9

Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numero parte : R6035ENZ1C9
fabbricante : Rohm Semiconductor
Descrizione : MOSFET N-CH 600V 35A TO247
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 110nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 2720pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 120W (Tc)
temperatura di esercizio : 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore : TO-247
Pacchetto / caso : TO-247-3
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
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Schede tecniche : R6035ENZ1C9.pdf

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