VS-FB190SA10 Scheda dati
Specifiche per VS-FB190SA10
Numero parte : VS-FB190SA10
fabbricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Serie : -
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 190A
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 180A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.35V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 250nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 10700pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 568W (Tc)
temperatura di esercizio : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : SOT-227
Pacchetto / caso : SOT-227-4, miniBLOC
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-VS-FB190SA10
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
21539 pezzi
Prezzo di riferimento
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