VMO650-01F Scheda dati
Specifiche per VMO650-01F
Numero parte : VMO650-01F
fabbricante : IXYS
Descrizione : MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
Serie : HiPerFET™
Stato parte : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) : 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C : 690A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 6V @ 130mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs : 2300nC @ 10V
Vgs (massimo) : ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds : 59000pF @ 25V
Caratteristica FET : -
Dissipazione di potenza (max) : 2500W (Tc)
temperatura di esercizio : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio : Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore : Y3-DCB
Pacchetto / caso : Y3-DCB
Peso : -
Condizione : Nuovo e originale
Qualità garantita : 365 giorni di garanzia
Risorsa stock : Distributore / produttore in franchising diretto
Paese d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
codice articolo del costruttore
Numero parte interna
AX-VMO650-01F
fabbricante
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 690A MODULE
Stato RoHS
Senza piombo / Conforme RoHS
Tempo di consegna
1-2 giorni
quantità disponibile
9409 pezzi
Prezzo di riferimento
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